化合物単結晶ウエハ
| Ⅲ-Ⅴ族 | ガリウム砒素ウエハ（GaAs） |
半絶縁型 | 2～6インチ |
|---|---|---|---|
| ｎ型 | 2～6インチ | ||
| ｐ型 | 2～6インチ | ||
インジウム燐ウエハ（InP） |
半絶縁型 | 2～4インチ | |
| ｎ型 | 2～4インチ | ||
| ｐ型 | 2～4インチ | ||
ガリウム燐ウエハ（GaP） |
ｎ型 | 2インチ | |
ガリウムアンチモンウエハ（GaSb） |
ｎ型 | 2～4インチ | |
| ｐ型 | 2～4インチ | ||
インジウム砒素ウエハ（InAs） |
ｎ型 | 2～3インチ | |
| ｐ型 | 2～3インチ | ||
インジウムアンチモンウエハ（InSb） |
ｎ型 | 2～3インチ | |
| ｐ型 | 2～3インチ | ||
| 窒化ガリウムウエハ（GaN) | 半絶縁型 | 2インチ | |
| ｎ型 | 2インチ | ||
| 炭化ケイ素ウエハ（SiC) | 4H－半絶縁型 | 2～4インチ | |
| 4H-ｎ型 | 2～4インチ | ||
| Ⅱ-Ⅵ族 | ｎ型 | 矩形、2インチ | |
| ｐ型 | 矩形、2インチ |
各種ウエハの仕様はご相談に応じます。
エピタキシャルウエハ
| ガリウム砒素 | インジウム燐 | 窒化ガリウム | ゲルマニウム | シリコン |
|---|---|---|---|---|
Optodevice Lasers LEDs VCSEL PIN Diode APD QWIPs (Quantum well Infrared Photodetector) Micro Wave MES FET PHEMTs HM-HEMT HBTs |
Lasers LEDs SHBT/DHBT HEMTs PIN Diode APD |
GaN Template n-GaN (InGaN, AlGaN) p-GaN (InGaN, AlGaN) LED structure GaN on SiC GaN on Si GaN on Sapphire |
C-PV Satellite |
Single layer Multilayer GaAs or Si SiGe |
※各種エピウエハーの仕様はご相談に応じます。
成長方法
| MOCVD法 | 2インチ・3インチ・4インチ・6インチ |
|---|---|
| MBE法 | 3インチ・4インチ・6インチ |
| Thermal CVD法 | 4インチ・5インチ・6インチ・8インチ |
評価項目
シリコン単結晶ウエハ
| CZ法 MCZ法 FZ法 |
ｎ型 | 2～8インチ |
|---|---|---|
| ｐ型 | 2～8インチ |
各種ウエハ、インゴットの仕様はご相談に応じます。
- SOIウエハ
- イオン注入
- 受託成膜
- ウエハ加工(任意にて加工受け賜ります)
- ウエハ再生研磨(化合物結晶も受け賜ります)
酸化物単結晶ウエハ
| 品名 | 結晶成長 | 結晶方位 | 結晶サイズ |
| 酸化アルミニウム(Al2O3) | Kyropoulos法 | (0001)・(11-20)・(1-102) | 10mm～200mm |
|---|---|---|---|
| 酸化亜鉛(ZnO) | 水熱法 | (0001)・(11-20)・(1-102) | 10mm～20mm |
| 酸化マグネシウム(MgO) | 電融法 | (100)・(110)・(111) | 10mm～50mm |
| チタン酸ストロンチウム(SrTiO3) | ベルヌーイ法(Nbドープ、Laドープ) | (100)・(110)・(111) | 10mm～50mm |
| イットリウム安定化ジルコニア(YSZ) | スカル・メルティング法 | (100)・(110)・(111) | 10mm～30mm |
| ランタンアルミネート | CZ法 | (100)・(110)・(111) | 10mm～20mm |
| イットリウムアルミニウムガーネット(Y3Al5O12) | CZ法 | (100)・(110)・(111) | 10mm～20mm |
| ネオジウムガレート(NdGaO3) | CZ法 | (100)・(110)・(001) | 10mm～50mm |
| ディスプロシウムスキャンデート(DyScO3) | CZ法 | (110) | 10×5mm・10×10mm |
| SCAM(ScAlMgO4) | CZ法 | (0001) | 10×10mm |
その他の素材・仕様はご相談に応じます。
高純度金属・化合物・合金
| 品名(元素) | 純度 | 形状 |
| 亜鉛(Zn) | 5N、6N | F、R、S、W |
|---|---|---|
| アルミニウム(Al) | 5N | F、R、S、W |
| アンチモン(Sb) | 5N、6N | R、S |
| インジウム(In) | 5N、6N | F、R、S、W |
| カドミウム(Cd) | 5N、6N | F、R、S、W |
| ガリウム(Ga) | 5N、6N、7N | S |
| 錫(Sn) | 5N | F、R、S、W |
| セレン(Se) | 5N、6N | R、S |
| 品名(元素) | 純度 | 形状 |
| テルル(Te) | 5N、6N | R、S |
|---|---|---|
| ビスマス(Bi) | 5N、6N | R、S |
| 砒素(As) | 5N、6N、7N | C、R |
| ベリリウム(Be) | 4N、5N | C、F、R |
| マグネシウム(Mg) | 5N | R |
| マンガン(Mn) | 5N | R |
| 燐(P) | 5N、6N | C、R |
- 高融点金属(タングステン、モリブデン、タンタル、その他)
- 貴金属(金、銀、プラチナ、パラジウム、その他)
各種金属の仕様及び商品はご相談に応じます。
その他製品
| 蒸発源・蒸着材料 | スパッタリングターゲット ハースライナー ボート型フィラメント |
|---|---|
| 装置・治工具精密洗浄 | 真空装置全般 MOCVD＆MBE etc
|
| ウエハー加工 | CVD(熱・プラズマ) MEMS試作 PVD(スパッタリング)
|
| アッセンブリ・テスト＆ ベアチップ |
VCSEL(TOSA・ROSA等) 高輝度LED 半導体レーザー |
|---|---|
| リードフレーム | オーブンフレーム、カスタムフレーム SMD Type Lamp Type(3φ、5φ) |
| 真空装置＆部品 | 小型蒸着装置 マグネトロンスパッタコーター ゲートバルブ フィードスルー |